home | login | register | DMCA | contacts | help | donate |      

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я


my bookshelf | genres | recommend | rating of books | rating of authors | reviews | new | форум | collections | читалки | авторам | add
fantasy
space fantasy
fantasy is horrors
heroic
prose
  military
  child
  russian
detective
  action
  child
  ironical
  historical
  political
western
adventure
adventure (child)
child's stories
love
religion
antique
Scientific literature
biography
business
home pets
animals
art
history
computers
linguistics
mathematics
religion
home_garden
sport
technique
publicism
philosophy
chemistry
close

реклама - advertisement



S

S2K Bus Driving Strength (Передача данных для шины S2K)

Обычные опции: Auto, Manual.

Шина S2K – еще одно название шины процессора AMD Athlon. Эта функция BIOS используется для того, чтобы запрограммировать материнскую плату на автоматическую настройку передачи данных шины процессора Athlon, либо разрешить конфигурацию BIOS вручную.

Обычно используется значение Auto. Это позволяет материнской плате динамически изменять значение, либо использовать настройки производителя.

Если вы измените значение на Manual (Вручную), цепочка динамической компенсации для шины S2K будет отключена. Вы сможете вручную настроить передачу данных для шины S2K.

Рекомендуем использовать значение Auto, чтобы материнская плата могла динамически настраивать передачу данных для шины S2K. Тем не менее, в некоторых ситуациях данную функцию понадобится настроить вручную.

Вы можете пользоваться этой опцией при разгонке. Увеличение передачи данных повышает стабильность шины S2K. Будьте очень осторожны при увеличении данного параметра после разгонки процессора: вы можете нанести процессору непоправимый вред!

Если вы хотите самостоятельно настроить передачу данных для шины S2K, измените значение этой функции на Manual. Это позволит вручную изменить передачу данных для шины S2K с помощью параметров S2K Strobe P Control и S2K Strobe N Control.

S2K Strobe N Control (Управление S2K Strobe N)

Обычные опции: от 0 до F (в шестнадцатеричном коде), от 0h до Fh.

Эта функция определяет значение передачи данных для транзистора N шины S2K. Она используется вместе с функциями S2K Bus Driving Strength и S2K Strobe P Control, чтобы обойти динамическую компенсацию материнской платы для шины S2K.

Данная опция является вспомогательной для опции Manual функции S2K Bus Driving Strength. Если вы настроите функцию S2K Bus Driving Strength на Auto, функция S2K Strobe N Control будет бесполезна. Эта функция BIOS активируется только в том случае, если вы настроите значение опции S2K Strobe N Control на Manual (Вручную).

Значение передачи данных представлено числом в шестнадцатеричном коде от 0 до F (от 0 до 15 в десятеричном коде). Установка по умолчанию различается в зависимости от материнской платы. Чем выше значение, тем больше компенсация сопротивления шины S2K.

Вы можете пользоваться данной функцией при разгонке шины S2K. Высокое значение передачи для транзистора N (и P) может помочь разогнать шину S2K сильнее, чем это возможно в нормальных условиях. Увеличив значение передачи для шины S2K, вы улучшите ее стабильность при высоких частотах.

Будьте очень осторожны при увеличении значения опции S2K Bus Driving Strength с разогнанной шиной S2K, так как вы можете нанести процессору непоправимый вред!

Увеличение значения передачи данных S2K не ведет к повышению производительности процессора AMD. Поэтому не увеличивайте данное значение для транзистора N без особой необходимости.

S2K Strobe P Control (Управление S2K Strobe P)

Обычные опции: от 0 до F (в шестнадцатеричном коде), от 0h до Fh.

Эта функция BIOS определяет значение передачи данных транзистора P для шины S2K. Она используется вместе с функциями S2K Bus Driving Strength и S2K Strobe N Control, чтобы обойти динамическую компенсацию материнской платы для шины S2K.

Данная опция является вспомогательной для опции Manual функции S2K Bus Driving Strength. Если вы настроите функцию S2K Bus Driving Strength на Auto, функция S2K Strobe N Control будет бесполезна. Эта функция BIOS активируется только в том случае, если вы настроите значение опции S2K Strobe P Control на Manual (Вручную).

Значение передачи данных представлено числом в шестнадцатеричном коде от 0 до F (от 0 до 15 в десятеричном коде). Установка по умолчанию различается в зависимости от материнской платы. Чем выше значение, тем больше компенсация сопротивления шины S2K.

Вы можете пользоваться данной функцией при разгонке шины S2K. Высокое значение передачи для транзистора P (и N) может помочь вам разогнать шину S2K сильнее, чем это возможно в нормальных условиях. Увеличив значение передачи для шины S2K, вы улучшите ее стабильность при высоких частотах.

Будьте очень осторожны при увеличении значения опции S2K Bus Driving Strength с разогнанной шиной S2K, так как вы можете нанести процессору непоправимый вред!

Увеличение значения передачи данных S2K не ведет к повышению производительности процессора AMD. Поэтому не увеличивайте данное значение для транзистора P без особой необходимости.

SDRAM 1T Command (Команда SDRAM 1T)

Обычные опции: Enabled, Disabled, Auto.

Когда контроллер памяти получает от операционной системы запрос на чтение данных из памяти, он не имеет информации о точном физическом адресе нужных данных. Контроллер памяти получает лишь виртуальный адрес, который необходимо преобразовать в адреса в физической памяти. Поэтому каждая новая операция в памяти сопровождается небольшой задержкой.

Вместо того чтобы немедленно инициализировать команду на чтение, контроллер памяти присваивает сигнал Chip Select (Выбор чипа) для банка памяти с нужными данными. Этот сигнал активирует банк, чтобы он смог получить команду. Одновременно контроллер памяти конвертирует адреса. Получив адреса в физической памяти, контроллер начинает инициировать команды чтения для активированного банка памяти.

Как видите, задержка команды вызвана вовсе не временем ожидания модуля памяти. Задержка определяется временем, которое требуется для контроллера памяти, чтобы конвертировать виртуальные адреса в адреса физической памяти.

Так как задержка вызвана конвертированием адресов, контроллеру памяти требуется больше времени для обработки адресов модулей памяти большого объема. Кроме того, контроллеру необходимо больше времени и в случае наличия большого количества банков.

Эта функция BIOS позволяет выбрать задержку между получением сигнала Chip Select и моментом, когда контроллер памяти должен начать отправку команд в банк памяти. Чем меньше значение, тем быстрее контроллер памяти сможет начать отправку команд в активированный банк памяти.

Если вы включите данную опцию, контроллер памяти добавит задержку команды, равную одному циклу или 1T.

Если вы выключите данную опцию, контроллер памяти добавит задержку команды, равную двум циклам или 2T.

Опция Auto позволяет контроллеру памяти использовать для задержки команды значение SPD модуля памяти.

Если задержка команды SDRAM слишком велика, производительность может снизиться, так как контроллер памяти будет отправлять команды позже, чем необходимо.

Если задержка команды SDRAM слишком мала, контроллер памяти не сможет передать адреса вовремя, что приведет к потере и повреждению данных.

К счастью, все модули SDRAM (не имеющие буфера) поддерживают задержку команды 1T для четырех банков памяти на канал. После этого может понадобиться задержка команды 2T. Но поддержка 1T различается в зависимости от материнской платы и даже от модели. Проконсультируйтесь с производителем вашей материнской платы, чтобы узнать, поддерживает ли она задержку 1T.

Рекомендуем включить эту функцию, чтобы улучшить производительность памяти. Если возникнут проблемы, отключите данную опцию.

SDRAM 1T Command Control (Управление командой SDRAM 1T)

Обычные опции: Enabled, Disabled, Auto.

Когда контроллер памяти получает от операционной системы запрос на чтение данных из памяти, он не имеет информации о точном физическом адресе нужных данных. Контроллер памяти получает лишь виртуальный адрес, который необходимо преобразовать в адреса в физической памяти. Поэтому каждая новая операция в памяти сопровождается небольшой задержкой.

Вместо того чтобы немедленно инициализировать команду на чтение, контроллер памяти присваивает сигнал Chip Select (Выбор чипа) для банка памяти с нужными данными. Этот сигнал активирует банк, чтобы он смог получить команду. Одновременно контроллер памяти конвертирует адреса. Получив адреса в физической памяти, контроллер начинает инициировать команды чтения для активированного банка памяти.

Как видите, задержка команды вызвана вовсе не временем ожидания модуля памяти. Задержка определяется временем, которое требуется для контроллера памяти, чтобы конвертировать виртуальные адреса в адреса физической памяти.

Так как задержка вызвана конвертированием адресов, контроллеру памяти требуется больше времени для обработки адресов модулей памяти большого объема. Кроме того, контроллеру необходимо больше времени и в случае наличия большого количества банков.

Эта функция BIOS позволяет выбрать задержку между получением сигнала Chip Select и моментом, когда контроллер памяти должен начать отправку команд в банк памяти. Чем меньше значение, тем быстрее контроллер памяти сможет начать отправку команд в активированный банк памяти.

Если вы включите данную опцию, контроллер памяти добавит задержку команды, равную одному циклу или 1T.

Если вы выключите данную опцию, контроллер памяти добавит задержку команды, равную двум циклам или 2T.

Опция Auto позволяет контроллеру памяти использовать для задержки команды значение SPD модуля памяти.

Если задержка команды SDRAM слишком велика, производительность может снизиться, так как контроллер памяти будет отправлять команды позже, чем необходимо.

Если задержка команды SDRAM слишком мала, контроллер памяти не сможет передать адреса вовремя, что приведет к потере и повреждению данных.

К счастью, все модули SDRAM (не имеющие буфера) поддерживают задержку команды 1T для четырех банков памяти на канал. После этого может понадобиться задержка команды 2T. Но поддержка 1T различается в зависимости от материнской платы и даже от модели. Проконсультируйтесь с производителем вашей материнской платы, чтобы узнать, поддерживает ли она задержку 1T.

Рекомендуем включить эту функцию, чтобы улучшить производительность памяти. Если возникнут проблемы, отключите данную опцию.

SDRAM Active to Precharge Delay (Задержка при обновлении SDRAM)

Обычные опции: 4, 5, 6, 7, 8, 9.

При запросе от любой команды чтения строка памяти активируется с помощью RAS (Row Address Strobe – Импульс адреса строки). Чтобы считать данные из ячейки памяти, соответствующий столбец активируется с помощью CAS (Column Address Strobe – Импульс адреса столбца). Используя сигналы CAS, из одной активной строки можно считать несколько ячеек.

Однако при считывании данных из другой строки активная строка должна быть деактивирована. Строка не может быть деактивирована до тех пор, пока время tRAS не закончится.

Задержка модуля памяти отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это последняя цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2347, задержка tRAS для него будет равна 7 циклам.

Как и функция DRAM Act to PreChrg CMD, эта функция BIOS управляет минимальным временем активации банка памяти (tRAS). Под минимальным временем активации подразумевается временной интервал между активацией строки и моментом, когда эта строка может быть деактивирована. Это также период времени, в течение которого строка остается открытой для передачи данных.

Если период tRAS слишком велик, это может привести к снижению производительности, так как деактивация активных строк задерживается. При уменьшении периода tRAS активная строка будет деактивирована быстрее.

Однако если период tRAS слишком короткий, времени для завершения операции может быть недостаточно. Это снижает производительность системы и может вызвать потерю или повреждение данных.

Чтобы получить оптимальную производительность, используйте минимальное значение. Как правило, оно равно: CAS Latency (Время ожидания CAS) + tRCD + 2 цикла таймера. Например, если вы настроили CAS Latency на 2 цикла, а tRCD на 3 цикла, вы получаете значение, равное 7 циклам.

Если ваша система будет сообщать об ошибках или зависать, увеличьте значение tRAS на один цикл, чтобы стабилизировать работу.

SDRAM Bank Interleave (Чередование банков SDRAM)

Обычные опции: 2Bank, 4Bank, Disabled.

Эта функция BIOS служит для того, чтобы настроить режим чередования для интерфейса SDRAM.

Чередование позволяет банкам SDRAM изменять циклы обновления и доступа. Один банк проходит через цикл обновления, в то время как другой – через цикл доступа. Это позволяет улучшить производительность памяти путем маскировки циклов обновления для банков памяти. В результате процесс обмена между банками памяти напоминает конвейер.

Если в системе имеется четыре банка, процессор может отправить один запрос на данные к каждому банку в течение четырех циклов. В первом цикле процессор отправляет один адрес в банк 0, затем во втором цикле – другой адрес в банк 1, а в третьем и четвертом циклах – остальные адреса в банки 2 и 3, соответственно. Последовательность выглядит так:

1) процессор отправляет адрес #0 в Bank 0;

2) процессор отправляет адрес #1 в Bank 1 и получает данные #0 из Bank 0;

3) процессор отправляет адрес #2 в Bank 2 и получает данные #1 из Bank 1;

4) процессор отправляет адрес #3 в Bank 3 и получает данные #2 из Bank 2;

5) процессор получает данные #3 из Bank 3.

Как видите, данные по четырем запросам последовательно поступают из банков памяти без задержек. Если чередование не было включено, та же самая операция будет выглядеть так (в худшем случае):

1) SDRAM обновляется;

2) процессор отправляет адрес #0 в SDRAM;

3) процессор получает данные #0 из SDRAM;

4) SDRAM обновляется;

5) процессор отправляет адрес #1 в SDRAM;

6) процессор получает данные #1 из SDRAM;

7) SDRAM обновляется;

8) процессор отправляет адрес #2 в SDRAM;

9) процессор получает данные #2 из SDRAM;

10) SDRAM обновляется;

11) процессор отправляет адрес #3 в SDRAM;

12) процессор получает данные #3 из SDRAM.

Если чередование было включено, первый банк может начать передачу данных на процессор в цикле, когда второй банк получает адрес. Если чередование выключено, процессор должен отправить адрес в банк памяти, получить запрошенные данные и дождаться обновления банка памяти, прежде чем инициировать вторую операцию. Это ведет к потере циклов и снижает пропускную способность.

Чередование позволяет замаскировать циклы обновления. В результате возникает эффект конвейера, который существенно повышает пропускную способность.

Чередование банков работает только в том случае, если запрашиваемые адреса относятся к разным банкам. Если они находятся в одном банке памяти, операции по передаче данных выполняются без чередования. Процессор должен ждать завершения первой операции и обновления банка памяти, чтобы отправить в этот банк другой адрес.

Каждый модуль SDRAM делится на два или четыре банка памяти. Двойные модули SDRAM используют чипы 16 Мбит SDRAM (объемом 32 Мб или меньше) и имеют только два банка памяти. Модули SDRAM, которые используют чипы памяти 64256 Мбит, имеют четыре банка памяти. Все модули SDRAM объемом 64 Мб и более имеют четыре банка памяти.

Если вы используете один двойной модуль SDRAM, настройте данную функцию на 2Bank. Это единственное значение, которое доступно для одного двойного модуля SDRAM.

Если вы используете два и более двойных модуля SDRAM, вы можете использовать как значение 4Bank, так и значение 2Bank. Конечно, рекомендуем выбрать настройку 4Bank, чтобы улучшить производительность при чередовании.

Если вы используете модули SDRAM с четырьмя банками памяти, вы можете использовать как значение 4Bank, так и значение 2Bank. Конечно, рекомендуем выбрать настройку 4Bank, чтобы улучшить производительность при чередовании.

Если вы используете модули SDRAM с четырьмя банками памяти, то можете выбрать любую настройку чередования. Разумеется, рекомендуем остановиться на значении 4Bank, чтобы улучшить производительность при чередовании.

Так как значение 4Bank улучшает производительность при чередовании, мы советуем выбирать эту настройку, если ваша система ее поддерживает. Значение 2Bank следует выбирать только в том случае, если система работает с одним двойным модулем SDRAM.

Обратите внимание: компания Award (сейчас входит в состав компании Phoenix Technologies) рекомендует отключить чередование банков SDRAM при использовании модулей 16 Мбит SDRAM. Причина состоит в том, что ранние модули 16 Мбит SDRAM нестабильно работают с чередованием. Все современные модули SDRAM поддерживают чередование без проблем.

SDRAM BanktoBank Delay (Задержка при передаче данных между банками SDRAM)

Обычные опции: 2 Cycles, 3 Cycles.

Данная опция представляет собой настройку по времени устройства DDR для tRRD. Эта функция BIOS определяет минимальное время между успешными командами ACTIVATE для одного и того же устройства DDR. Чем меньше задержка, тем быстрее может активироваться следующий банк для чтения или записи. Так как активация строки требует большой силы тока, короткая задержка может привести к выбросам тока.

Настройка этого параметра может различаться в зависимости от устройства DDR. Обычно производители DDR RAM указывают параметр tRRD (на основании того, как команды ACTIVATE ограничивают выбросы тока в устройстве). Если вы разрешите BIOS автоматически конфигурировать параметры DRAM, заданное производителем значение tRRD будет считано с чипа SPD (Serial Presence Detect – Распознавание последовательного присутствия). Вы можете настроить этот параметр вручную в соответствии с вашими предпочтениями.

При работе на обычном компьютере рекомендуем использовать задержку в 2 цикла, так как выбросы тока не имеют большого значения. Причина состоит в том, что обычный компьютер не ограничен в питании, и даже мощности обычного вентилятора должно хватить для того, чтобы устранить последствия повышения температуры, вызванного выбросами тока. Повышенная производительность при настройке более короткой задержки заслуживает отдельного внимания. Более короткая задержка приводит к тому, что активация банкбанк занимает на один цикл меньше. Это позволяет улучшить производительность устройства DDR при чтении и записи.

Обратите внимание: короткая задержка (2 цикла) работает с большинством устройств DDR DIMM, даже при частоте 133 МГц (266 МГц DDR). Но устройства DDR DIMM с частотой выше 133 МГц (266 МГц DDR) могут потребовать использования задержки 3 цикла. Если возможно, выбирайте значение 2 Cycles, чтобы обеспечить оптимальную производительность DDR DRAM. Переключайтесь на 3 цикла только в том случае, если у вас возникли проблемы с настройкой на 2 цикла.

В мобильных устройствах (например, ноутбуках) рекомендуем использовать задержку в 3 цикла. Это позволит ограничить выбросы тока, вызванные активацией строк. Благодаря этому энергопотребление и рабочая температура устройства DDR будут снижены, что особенно полезно для пользователей мобильных устройств.

SDRAM Burst Len (Продолжительность операции SDRAM)

Обычные опции: 4, 8.

Данная функция является аналогом функции SDRAM Burst Length, только называется подругому. Ее используют многие производители. Почему? Это знают только они.

Блоковые операции (burst transactions) повышают производительность SDRAM, так как данные читаются и записываются блоками с использованием только одного адреса столбца.

В такой операции только при первой передаче данных для чтения или записи учитывается начальная задержка, необходимая для активации столбца. Последующие операции в последовательности выполняются без задержки. Это позволяет намного быстрее считывать и записывать блоки данных.

Например, блоковая операция из четырех записей может включать задержки: 4111. На выполнение четырех записей операции понадобится семь циклов.

Если же четыре записи не объединены в блоковую операцию, задержки будут стандартными: 4444. На выполнение четырех записей операции понадобится 16 циклов, то есть на 9 циклов больше (или в два раза медленнее).

Функция BIOS SDRAM Burst Len позволяет вам управлять продолжительностью операции записи.

Если вы выберите значение 4, блоковая операция записи будет ограничена четырьмя QW.

Если вы выберите значение 8, блоковая операция записи будет ограничена восемью QW.

Так как начальное ожидание CAS фиксировано для каждой операции, увеличение время записи позволяет записать или считать больше данных с меньшей задержкой. Поэтому запись длиной 8 выполняется быстрее, чем запись длиной 4.

Например, если контроллер памяти записывает в память блок данных продолжительностью в восемь единиц, эту задачу он может решить с использованием одной блоковой операции в восемь единиц или с использованием двух стандартных операций в четыре единицы каждая. Для блоковой операции будут действовать задержки: 41111111, то есть на всю операцию потребуется 11 циклов.

Для двух стандартных операций будут действовать задержки: 41114111. Это значит, что для завершения двух операций понадобится 14 циклов. Как видите, это медленнее, чем при использовании блоковой операции.

Рекомендуем выбрать значение 8, чтобы улучшить производительность системы.

SDRAM Burst Length (Продолжительность операции SDRAM)

Обычные опции: 4, 8.

Блоковые операции (burst transactions) повышают производительность SDRAM, так как данные читаются и записываются блоками с использованием только одного адреса столбца.

В такой операции только при первой передаче данных для чтения или записи учитывается начальная задержка, необходимая для активации столбца. Последующие операции в последовательности выполняются без задержки. Это позволяет намного быстрее считывать и записывать блоки данных.

Например, блоковая операция из четырех записей может включать задержки: 4111. На выполнение четырех записей операции понадобится семь циклов.

Если же четыре записи не объединены в блоковую операцию, задержки будут стандартными: 4444. На выполнение четырех записей операции понадобится 16 циклов, то есть на 9 циклов больше (или в два раза медленнее).

Функция BIOS SDRAM Burst Length позволяет управлять продолжительностью операции записи.

Если вы выберите значение 4, блоковая операция записи будет ограничена четырьмя QW.

Если вы выберите значение 8, блоковая операция записи будет ограничена восемью QW.

Так как начальное ожидание CAS фиксировано для каждой операции, увеличение время записи позволяет записать или считать больше данных с меньшей задержкой. Поэтому запись длиной 8 выполняется быстрее, чем запись длиной 4.

Например, если контроллер памяти записывает в память блок данных продолжительностью в восемь единиц, эту задачу он может решить с использованием одной блоковой операции в восемь единиц или с использованием двух стандартных операций в четыре единицы каждая. Для блоковой операции будут действовать задержки: 41111111, то есть на всю операцию потребуется 11 циклов.

Для двух стандартных операций будут действовать задержки: 41114111. Это значит, что для завершения двух операций понадобится 14 циклов. Как видите, это медленнее, чем при использовании блоковой операции.

Рекомендуем выбрать значение 8, чтобы улучшить производительность системы.

SDRAM CAS Latency Time (Время ожидания SDRAM CAS)

Обычные опции: 2, 3 (память SDR) или 1.5, 2, 2.5, 3 (память DDR)

При запросе от любой команды чтения строка памяти активируется с помощью RAS. Чтобы считать данные из ячейки памяти, соответствующий столбец активируется с помощью CAS.

Используя сигналы CAS, из одной активной строки можно считать несколько ячеек. Однако при считывании данных из другой строки активная строка должна быть деактивирована. Эта задержка называется ожидание CAS.

Задержка модуля памяти отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это первая цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2347, задержка CAS для него будет равна 2 циклам.

Эта функция BIOS управляет задержкой (в циклах) между сигналом CAS и моментом, когда данные станут доступны в ячейке памяти. Кроме того, данная опция определяет количество циклов, которое требуется для завершения первой части операции. Другими словами, чем меньше время ожидания CAS, тем быстрее выполняется чтение и запись в память.

Так как активация столбца происходит при каждом считывании данных из новой ячейки памяти, ожидание CAS серьезно влияет на производительность памяти, особенно при использовании модулей SDR SDRAM. При работе с модулями DDR SDRAM эффект не так значителен.

Помните, что некоторые модули памяти могут неправильно работать с низким временем ожидания и терять данные. Советуем уменьшить настройку данной функции до 2 или 2.5 циклов, чтобы улучшить производительность памяти. Если система начнет работать нестабильно, увеличьте значение опции.

Интересно: если вы увеличите время ожидания CAS, это позволит модулю памяти работать с более высокой скоростью. Поэтому вы можете увеличить время ожидания CAS, если вы достигли предела при разгонке модулей SDRAM.

Это следует делать, в первую очередь, с модулями памяти DDR SDRAM, так как ожидание CAS не очень сильно влияет на производительность такой памяти (по сравнению с модулями памяти SDR). Нельзя недооценивать повышенную способность к разгонке при использовании более продолжительного времени ожидания CAS. Если вы хотите разогнать модули памяти DDR SDRAM, подумайте о том, чтобы увеличить время ожидания CAS. Полученное преимущество окупает небольшую потерю производительности.

SDRAM Command Leadoff Time (Время действия команды SDRAM)

Обычные опции: 3, 4.

Чтобы выполнить требования системы, контроллер памяти отправляет сигналы в адресную и командную строку на один цикл раньше, чем нужно. Это дает контроллеру памяти дополнительное время для выполнения запросов материнской платы.

Вы можете подумать, что раннее обращение к адресной и командной строке улучшает производительность; это не так. Контроллер памяти отправляет сигналы раньше, чем необходимо, но они достигают модуля памяти в момент, когда ни один из банков памяти не является активным.

Когда сигналы обращаются к модулю памяти, конечный банк активируется, и контроллер памяти начинает чтение. Так как адресная и командная строка были вызваны заранее, активация конечного банка памяти управляется временем действия команды.

По определению, время действия команды – это период между добавлением адреса/команды и активацией банка памяти. Данная функция BIOS позволяет изменить время действия команды в соответствии с параметрами материнской платы и модуля памяти.

Чем меньше время действия команды, тем раньше может быть активирован банк памяти. Это обеспечивает более быстрый доступ к модулю памяти. Рекомендуем настроить функцию SDRAM Command Leadoff Time на 3 (3 цикла), чтобы добиться повышения производительности памяти.

Однако ваша материнская плата и память могут не поддерживать время действия команды, равное трем циклам. Если система начнет работать нестабильно, измените настройку опции на 4 (4 цикла).

SDRAM Command Rate (Коэффициент команды SDRAM)

Обычные опции: 1T, 2T.

Когда контроллер памяти получает от операционной системы запрос на чтение данных из памяти, он не имеет информации о точном физическом адресе нужных данных. Контроллер памяти получает лишь виртуальный адрес, который необходимо преобразовать в адреса в физической памяти. Поэтому каждая новая операция в памяти сопровождается небольшой задержкой.

Вместо того чтобы немедленно инициализировать команду на чтение, контроллер памяти присваивает сигнал Chip Select (Выбор чипа) для банка памяти с нужными данными. Этот сигнал активирует банк, чтобы он смог получить команду. Одновременно контроллер памяти конвертирует адреса. Получив адреса в физической памяти, контроллер начинает инициировать команды чтения для активированного банка памяти.

Как видите, задержка команды вызвана вовсе не временем ожидания модуля памяти. Задержка определяется временем, которое требуется для контроллера памяти, чтобы конвертировать виртуальные адреса в адреса физической памяти.

Так как задержка вызвана конвертированием адресов, контроллеру памяти требуется больше времени для обработки адресов модулей памяти большого объема. Кроме того, контроллеру необходимо больше времени и в случае наличия большого количества банков.

Эта функция BIOS позволяет выбрать задержку между получением сигнала Chip Select и моментом, когда контроллер памяти должен начать отправку команд в банк памяти. Чем меньше значение, тем быстрее контроллер памяти сможет начать отправку команд в активированный банк памяти.

Если задержка команды SDRAM слишком велика, производительность может снизиться, так как контроллер памяти будет отправлять команды позже, чем необходимо.

Если задержка команды SDRAM слишком мала, контроллер памяти не сможет передать адреса вовремя, что приведет к потере и повреждению данных.

К счастью, все модули SDRAM (не имеющие буфера) поддерживают задержку команды 1T для четырех банков памяти на канал. После этого может понадобиться задержка команды 2T. Но поддержка 1T различается в зависимости от материнской платы и даже от модели. Проконсультируйтесь с производителем вашей материнской платы, чтобы узнать, поддерживает ли она задержку 1T.

Рекомендуем включить эту функцию, чтобы улучшить производительность памяти. Если возникнут проблемы, отключите данную опцию.

SDRAM Cycle Length (Длительность цикла SDRAM)

Обычные опции: 2, 3 (память SDR) или 1.5, 2, 2.5, 3 (память DDR)

При запросе от любой команды чтения строка памяти активируется с помощью RAS. Чтобы считать данные из ячейки памяти, соответствующий столбец активируется с помощью CAS.

Используя сигналы CAS, из одной активной строки можно считать несколько ячеек. Однако при считывании данных из другой строки активная строка должна быть деактивирована. Эта задержка называется ожидание CAS.

Задержка модуля памяти отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это первая цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2347, задержка CAS для него будет равна 2 циклам.

Эта функция BIOS управляет задержкой (в циклах) между сигналом CAS и моментом, когда данные станут доступны в ячейке памяти. Кроме того, данная опция определяет количество циклов, которое требуется для завершения первой части операции. Другими словами, чем меньше время ожидания CAS, тем быстрее выполняется чтение и запись в память.

Так как активация столбца происходит при каждом считывании данных из новой ячейки памяти, ожидание CAS серьезно влияет на производительность памяти, особенно при использовании модулей SDR SDRAM. При работе с модулями DDR SDRAM эффект не так значителен.

Помните, что некоторые модули памяти могут неправильно работать с низким временем ожидания и терять данные. Мы советуем вам уменьшить настройку данной функции до 2 или 2.5 циклов, чтобы улучшить производительность памяти. Если система начнет работать нестабильно, увеличьте значение опции.

Интересно: если вы увеличите время ожидания CAS, это позволит модулю памяти работать с более высокой скоростью. Поэтому вы можете увеличить время ожидания CAS, если достигли предела при разгонке модулей SDRAM.

Это следует делать, в первую очередь, с модулями памяти DDR SDRAM, так как ожидание CAS не очень сильно влияет на производительность такой памяти (по сравнению с модулями памяти SDR). Нельзя недооценивать повышенную способность к разгонке при использовании более продолжительного времени ожидания CAS. Если вы хотите разогнать модули памяти DDR SDRAM, подумайте о том, чтобы увеличить время ожидания CAS. Полученное преимущество окупает небольшую потерю производительности.

SDRAM Cycle Time Tras/Trc (Tras/Trc для времени цикла SDRAM)

Обычные опции: 5/6, 6/8.

Эта функция BIOS определяет параметры tRAS и tRC для модуля памяти SDRAM.

tRAS обозначает Row Active Time (Время активации строки) для SDRAM, то есть период, в течение которого строка остается открытой для передачи данных.

tRC обозначает Row Cycle Time (Время цикла строки) для SDRAM, то есть минимальное количество циклов, которое требуется строке памяти, чтобы пройти полный цикл от активации строки до ее обновления в активную строку.

Установка по умолчанию (6/8) является более стабильной и медленной, чем 5/6. При выборе значения 5/6 циклы проходят быстрее, но строка может оставаться открытой недостаточно долго, чтобы операция успела завершиться. Это может привести к потере данных и повреждению ячеек памяти. Особенно часто данный эффект проявляется при работе на частоте, которая превышает 100 МГц.

Чтобы улучшить производительность памяти, выберите значение 5/6. Если ваша система будет работать нестабильно, измените настройку на 6/8. Также вы можете использовать значение 6/8, если пытаетесь разогнать модули памяти, поскольку увеличенная задержка позволит им работать на более высокой частоте.

SDRAM ECC Setting (Настройка SDRAM ECC)

Обычные опции: Disabled, Check Only, Correct Errors, Correct+Scrub.

Эта функция BIOS является усовершенствованным аналогом функции DRAM Data Integrity Mode. Она поставляется с новыми материнскими платами и определяет не только настройку ECC для контроллера памяти.

Данная опция управляет функцией исправления ошибок для контроллера памяти, включая корректировку памяти. Существуют пять режимов ECC, четыре из которых используются в этой опции:

• Disabled;

• Check Only;

• Correct Errors;

• Correct+Scrub.

Режим Disabled отключает опцию ECC для контроллера памяти. Выберите данную опцию, если вы не пользуетесь модулями памяти ECC. Если вы используете модули ECC, данный режим обеспечит наилучшую производительность (правда, он никак не улучшает интеграцию данных).

Режим Check Only (Только проверять) позволяет контроллеру памяти искать ошибки. Контроллер памяти сможет находить (но не исправлять) ошибки одного и двух битов. Данный режим обеспечивает минимальную потерю производительности, но никак не улучшает интеграцию данных.

Режим Correct Errors (Исправлять ошибки) позволяет контроллеру памяти находить ошибки одного и двух битов, а также исправлять ошибки одного бита. Данный режим существенно снижает производительность системы. Преимущество состоит в том, что он улучшает интеграцию данных, а также исправляет ошибки одного бита. Ошибки двух битов не исправляются.

Режим Correct+Scrub (Исправлять и записывать) позволяет контроллеру памяти находить ошибки одного и двух битов, исправлять ошибки одного бита, а также записывать в память новое, исправленное значение! Этот режим обеспечивает самую высокую интеграцию данных. Однако потеря производительности в данном режиме еще выше.

Следует отметить, что режим Check Only не имеет практического применения, так как он лишь выполняет проверку на наличие ошибок и показывает отчеты. Пользователи модулей памяти ECC должны обратить внимание на режимы Correct Errors и Correct+Scrub, так как они улучшают интеграцию данных путем исправления ошибок одного бита. Если вы работаете с обычными модулями памяти, выберите опцию Disabled.

За дополнительной информацией по функции ECC обратитесь к описанию опции DRAM Data Integrity Mode.

SDRAM Idle Limit (Ограничение циклов простоя для SDRAM)

Обычные опции: Disabled, 0 Cycle, 8 Cycles, 12 Cycles, 16 Cycles, 24 Cycles, 32 Cycles, 48 Cycles.

Контроллер памяти позволяет страницам памяти оставаться открытыми. Если цикл процессора на SDRAM попадает в открытые страницы, он может быть выполнен без задержки. Это позволяет улучшить производительность процессора.

Но страницы не могут оставаться открытыми постоянно. Их необходимо закрывать и обновлять. Если страница закрывается в тот момент, когда контроллер памяти пытается считать из нее информацию, то операция чтения задерживается вплоть до повторной активации страницы. Это очень важно, так как теряются циклы процессора.

Эта функция BIOS задает количество циклов простоя, которое допускается до того, как контроллер памяти заставляет ожидающие страницы закрыться и обновиться.

В основе данной опции лежит концепция временной локализации (temporal locality). В соответствии с ней, чем дольше открытая страница простаивает, тем меньше вероятность того, что она снова понадобится до обновления. Поэтому лучше временно закрыть и обновить страницу, чтобы быстро открыть ее впоследствии, если в этом возникнет необходимость.

Вы можете настроить эту функцию на любое количество циклов от 0 Cycles до 48 Cycles. Указав значение, вы определяете, сколько циклов таймера открытые страницы могут простаивать, прежде чем они будут закрыты и обновлены. Вам также доступна опция Disabled.

Если вы выберите значение 0 Cycle (0 циклов), то контроллер памяти будет мгновенно обновлять открытые страницы при наличии цикла простоя.

Если вы выберите значение Disabled, то контроллер памяти не будет обновлять открытые страницы. Открытые страницы остаются активным до тех пор, пока не наступит время их обновления.

Большинство производителей по умолчанию используют значение 8 Cycles (8 циклов), что позволяет контроллеру памяти обновлять открытые страницы после восьми циклов простоя. Благодаря этому запрос команды чтения или записи, обращенный к данным страницам, может быть выполнен мгновенно.

Тем не менее, возможности этой функции ограничены настройкой цикла обновления в BIOS. Это значит, что при необходимости открытая страница будет обновлена независимо от того, достигло ли количество пустых циклов отметки, заданной опцией SDRAM Idle Lim it, или нет. Поэтому функция SDRAM Idle Limit может применяться только для того, чтобы вынудить обновление банка SDRAM до завершения цикла обновления, но не для задержки данного цикла.

Уменьшение количества циклов до 0 Cycles заставляет контроллер памяти закрывать все открытые страницы после того, как запросы перестают отправляться на контроллер памяти. То есть открытые страницы обновляются сразу после прекращения запросов. Теоретически, это может привести к повышению эффективности памяти, так как обновление открытых страниц маскируется во время пустых циклов. Но все запросы, поступающие после этого, должны ждать обновления страницы.

Так как обновления происходят нечасто (примерно один раз в 64 миллисекунды), их воздействие на производительность памяти можно считать минимальным. Преимущество маскировки обновлений во время пустых циклов невелико, особенно если учесть то, что современные системы памяти используют для маскировки обновлений обмен данными между банками.

При установке 0 Cycles запросы данных тоже могут задерживаться, так как один пустой цикл заставляет контроллер памяти закрыть все открытые страницы! На обычных компьютерах операции чтения из памяти пользуются принципом пространственной локализации (spatial locality), который указывает на то, что при считывании одного бита данных велика вероятность считывания и следующего бита. Поэтому закрытие открытых страниц с помощью функции SDRAM Idle Limit ведет к снижению производительности.

С другой стороны, ограничение в 0 или 8 пустых циклов гарантирует более частое обновление содержимого памяти, что позволяет избежать потери данных, вызванной неполным обновлением ячеек памяти. Если вы заставите контроллер памяти чаще обновлять открытые страницы, это позволит удерживать страницы открытыми достаточно долго, чтобы добиться завершения операции.

При работе на обычном компьютере рекомендуем выбирать опцию Disabled, чтобы максимально задерживать обновление страниц. Это позволяет уменьшить количество обновлений и увеличивает пропускную способность памяти.

Для приложений, которые выполняют множество произвольных запросов (например, для серверов), рекомендуем выбирать опцию 0 Cycle, так как последующие запросы, скорее всего, будут выполняться другими страницами. Если открытые страницы будут закрываться для обновления, это подготовит их для следующего запроса. Увеличенное количество обновлений вполне компенсируется повышенной интеграцией данных.

Также вы можете увеличить значение функции Refresh Interval или Refresh Mode, чтобы повысить пропускную способность и поддерживать интеграцию данных в ячейках памяти. Так как очень большие интервалы обновления (например, 64 или 128 m sec) могут привести к потере данных в ячейках, настройка параметра SDRAM Idle Limit на 0 Cycle или 8 Cycles позволяет ячейкам памяти чаще обновляться. Причем высока вероятность того, что подобные обновления будут происходить во время пустых циклов. В результате, как кажется, нам удается решить сразу две задачи, – увеличить время активации банка при высокой загрузке контроллера памяти и сделать обновления более частыми при простое контроллера памяти.

Однако в действительности этот способ не является предпочтительным, так как он зависит от возможности памяти к созданию пустых циклов для активации обновлений. Если ваша системная память подвергается большой нагрузке, у нее может не быть пустого цикла, который позволил бы активировать обновление. Это способно привести к потере данных в ячейках памяти.

При работе на обычном компьютере рекомендуем правильно настроить интервал обновления и выбрать опцию Disabled. Это позволит увеличить пропускную способность памяти путем максимальной задержки обновлений, а также сохранить интеграцию данных в ходе регулярных циклов обновления.

Для серверов рекомендуем правильно настроить интервал обновления и выбрать опцию 0 Cycle. Благодаря этому все открытые страницы будут обновляться при наличии пустого цикла.

SDRAM Leadoff Command (Команда времени действия SDRAM)

Обычные опции: 3, 4.

Эта опция BIOS называется не совсем верно. Ее следовало бы переименовать в SDRAM Command Leadoff Time (Время действия команды SDRAM).

Чтобы выполнить требования системы, контроллер памяти отправляет сигналы в адресную и командную строку на один цикл раньше, чем нужно. Это дает контроллеру памяти дополнительное время для выполнения запросов материнской платы.

Вы можете подумать, что раннее обращение к адресной и командной строке улучшает производительность; это не так. Контроллер памяти отправляет сигналы раньше, чем необходимо, но они достигают модуля памяти в момент, когда ни один из банков памяти не является активным.

Когда сигналы обращаются к модулю памяти, конечный банк активируется, и контроллер памяти начинает чтение. Так как адресная и командная строка были вызваны заранее, активация конечного банка памяти управляется временем действия команды.

По определению, время действия команды – это период между добавлением адреса/команды и активацией банка памяти. Данная функция BIOS позволяет изменить время действия команды в соответствии с параметрами материнской платы и модуля памяти.

Чем меньше время действия команды, тем раньше может быть активирован банк памяти. Это обеспечивает более быстрый доступ к модулю памяти. Рекомендуем настроить функцию SDRAM Leadoff Command на 3 (3 цикла), чтобы добиться повышения производительности памяти.

Однако ваша материнская плата и память могут не поддерживать время действия команды, равное трем циклам. Если ваша система начнет работать нестабильно, измените настройку опции на 4 (4 цикла).

SDRAM Page Closing Policy (Настройка закрытия страниц SDRAM)

Обычные опции: One Bank, All Banks.

Эта функция BIOS является аналогом функции SDRAM Precharge Control.

Контроллер памяти позволяет удерживать открытыми до четырех страниц одновременно. В одном банке памяти может быть открыто не более одной страницы. Если запрос на чтение из SDRAM попадает на открытую страницу, он может быть выполнен мгновенно. Конечно, это повышает производительность.

Если запрос на чтение не может быть выполнен ни одной из четырех открытых страниц, возникают две возможности. Одна из страниц закрывается, чтобы открыть нужную, либо закрываются все открытые страницы. В любом случае запросу приходится ждать полный цикл задержки.

Данная опция определяет, должна ли при наличии пропуска страницы система сохранять все страницы открытыми (закрывая только одну текущую страницу), либо закрывать их (все текущие страницы).

Настройка One Bank (Один банк) вынуждает контроллер памяти закрывать только одну страницу при наличии пропуска страницы. Это позволяет системе получить доступ к другим открытым страницам всего за один цикл.

Когда возникает пропуск страницы, имеется вероятность, что будет пропущена и страница, к которой обращаются последующие данные. При выполнении долгих операция считывания это может привести к тому, что в системе возникнет до четырех циклов ожидания. Разумеется, это сильно влияет на производительность памяти.

Настройка All Banks (Все банки) вынуждает контроллер при наличии пропуска страницы отправлять в интерфейс SDRAM команду All Banks Precharge (Обновить все банки). Все открытые страницы закрываются (обновляются). В результате последующим операциям достаточно лишь активировать нужные банки памяти.

Это полезно в случае, если последующие запросы на чтение обращаются к пропущенным страницам. Причина состоит в том, что банки памяти уже обновлены и готовы к активации. Для активации банков системе не придется ждать их обновления. Но вы не получите никаких преимуществ вследствие того, что запросы могут быть выполнены открытыми страницами.

Как видите, обе настройки имеют свои преимущества и недостатки. Тем не менее, опция One Bank позволяет получить повышенную производительность, так как открытые страницы обеспечивают очень быстрый доступ. При использовании значения All Banks содержимое памяти обновляется чаще. Это улучшает интеграцию данных, правда, только в том случае, если вы выбрали для опции SDRAM Refresh Interval значение, которое превышает 64 мсек.

Рекомендуем выбрать настройку One Bank, чтобы улучшить производительность памяти. Значение All Banks способно повысить интеграцию данных, но, если вы не изменяете настройку параметра SDRAM Refresh Interval, это вам не понадобится.

SDRAM Page Hit Limit (Ограничение запросов для страниц SDRAM)

Обычные опции: 1 Cycle, 4 Cycles, 8 Cycles, 16 Cycles, 32 Cycles.

Контроллер памяти позволяет одновременно открывать до четырех страниц. Все открытые страницы должны находиться в различных банках (в одном банке памяти можно открывать только одну страницу). Если запрос на чтение SDRAM попадает на открытые страницы, он может быть выполнен без задержки. Это известно как достижение страницы (page hit).

Обычно достижение страниц обеспечивает наилучшую производительность памяти для запрашивающего устройства. Однако поток подобных запросов может привести к тому, что запросы, не достигающие страниц, будут отложены на длительное время. В результате различные устройства получают неравные права на доступ к памяти, что может создать проблемы для некоторых устройств.

Данная функция BIOS предназначена для того, чтобы уменьшить недостаток данных, который возникает в случае, если запросы, не достигающие страниц, задерживаются. Это достигается путем ограничения количества запросов, достигших страниц, которые обрабатываются контроллером памяти перед тем, как обратиться к запросу, не дошедшему до страницы.

Обратите внимание: настройка данной функции определяет максимальное количество последующих запросов с достижением страницы, причем независимо от того, поступают ли подобные запросы из одного или нескольких банков памяти. По умолчанию используется значение 8 Cycles (то есть восемь следующих друг за другом запросов с достижением страницы, или восемь циклов, как их ошибочно называют).

Обычно значение по умолчанию (8 Cycles – 8 циклов) должно обеспечивать баланс между производительностью и свободным доступом к памяти для всех устройств. Вы можете попробовать использовать повышенное значение (16 Cycles – 16 циклов), чтобы повысить производительность памяти. Не советуем уменьшать значение: как правило, это ведет к увеличению числа прерываний на страницах.

SDRAM PH Limit (Ограничение запросов SDRAM PH)

Обычные опции: 1 Cycle, 4 Cycles, 8 Cycles, 16 Cycles, 32 Cycles.

Контроллер памяти позволяет одновременно открывать до четырех страниц. Все открытые страницы должны находиться в различных банках (в одном банке памяти можно открывать только одну страницу). Если запрос на чтение SDRAM попадает на открытые страницы, он может быть выполнен без задержки. Это известно как достижение страницы (page hit).

Обычно достижение страниц обеспечивает наилучшую производительность памяти для запрашивающего устройства. Однако поток подобных запросов может привести к тому, что запросы, не достигающие страниц, будут отложены на длительное время. В результате различные устройства получают неравные права на доступ к памяти, что может создать проблемы для некоторых устройств.

Данная функция BIOS предназначена для того, чтобы уменьшить недостаток данных, который возникает в случае, если запросы, не достигающие страниц, задерживаются. Это достигается путем ограничения количества запросов, достигших страниц, которые обрабатываются контроллером памяти перед тем, как обратиться к запросу, не дошедшему до страницы.

Обратите внимание: настройка данной функции определяет максимальное количество последующих запросов с достижением страницы, причем независимо от того, поступают ли подобные запросы из одного или нескольких банков памяти. По умолчанию используется значение 8 Cycles (восемь следующих друг за другом запросов с достижением страницы, или восемь циклов, как их ошибочно называют).

Обычно значение по умолчанию (8 Cycles – 8 циклов) должно обеспечивать баланс между производительностью и свободным доступом к памяти для всех устройств. Вы можете попробовать использовать повышенное значение (16 Cycles – 16 циклов), чтобы повысить производительность памяти. Не советуем уменьшать значение: как правило, это ведет к увеличению числа прерываний на страницах.

SDRAM Precharge Control (Управление обновлением SDRAM)

Обычные опции: Enabled, Disabled.

Эта функция BIOS является аналогом функции SDRAM Page Closing Policy.

Контроллер памяти позволяет удерживать открытыми до четырех страниц одновременно. В одном банке памяти может быть открыто не более одной страницы. Если запрос на чтение из SDRAM попадает на открытую страницу, он может быть выполнен мгновенно. Конечно, это повышает производительность.

Если запрос на чтение не может быть выполнен ни одной из четырех открытых страниц, возникают две возможности. Одна страница закрывается, чтобы открыть нужную страницу, либо закрываются все открытые страницы. В любом случае запросу приходится ждать полный цикл задержки.

Данная опция определяет, должна ли при наличии пропуска страницы система сохранять все страницы открытыми (закрывая только одну текущую страницу), либо закрывать их (все текущие страницы).

Настройка Enabled вынуждает контроллер памяти закрывать только одну страницу при наличии пропуска страницы. Это позволяет системе получить доступ к другим открытым страницам всего за один цикл.

Когда возникает пропуск страницы, имеется вероятность, что будет пропущена и страница, к которой обращаются последующие данные. При выполнении долгих операция считывания это может привести к тому, что в системе возникнет до четырех циклов ожидания. Разумеется, это сильно влияет на производительность памяти.

Настройка Disabled вынуждает контроллер при наличии пропуска страницы отправлять в интерфейс SDRAM команду All Banks Precharge (Обновить все банки). Все открытые страницы закрываются (обновляются). В результате последующим операциям достаточно лишь активировать нужные банки памяти.

Это полезно в случае, если последующие запросы на чтение обращаются к пропущенным страницам. Причина состоит в том, что банки памяти уже обновлены и готовы к активации. Для активации банков системе не придется ждать их обновления. Но вы не получите никаких преимуществ вследствие того, что запросы могут быть выполнены открытыми страницами.

Как видите, обе настройки имеют свои преимущества и недостатки. Тем не менее, опция Enabled позволяет получить повышенную производительность, так как открытые страницы обеспечивают очень быстрый доступ. При использовании значения Disabled содержимое памяти обновляется чаще. Это улучшает интеграцию данных, правда, только в том случае, если вы выбрали для опции SDRAM Refresh Interval значение, которое превышает 64 мсек.

Рекомендуем выбрать настройку Enabled, чтобы улучшить производительность памяти. Значение Disabled способно повысить интеграцию данных, но, если вы не изменяете настройку параметра SDRAM Refresh Interval, это вам не понадобится.

SDRAM RAS Precharge Delay (Задержка обновления SDRAM RAS)

Обычные опции: 2, 3, 4, 5.

При запросе от любой команды чтения строка памяти активируется с помощью RAS. Чтобы считать данные из ячейки памяти, соответствующий столбец активируется с помощью CAS. Используя сигналы CAS, из одной активной строки можно считать несколько ячеек.

Однако при считывании данных из другой строки активная строка должна быть деактивирована. Имеет место небольшая задержка перед активацией другой строки. Данная задержка называется RAS Precharge Time или tRP.

Задержка модуля памяти отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это третья цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2347, задержка RAS Precharge Delay для него будет равна 4 циклам.

Эта функция BIOS задает количество циклов, которое требуется для обновления RAS до активации другой строки. Если период RAS слишком велик, это может привести к снижению производительности, так как активация всех строк задерживается. При уменьшении периода обновления до 2 производительность повышается, так как новая строка может быть активирована быстрее.

Однако времени обновления 2 может быть недостаточно для некоторых модулей памяти. При этом активная строка может потерять свое содержимое до возврата в банк памяти. Это приведет к потере или повреждению данных в момент, когда контроллер памяти пытается считать данные или записать их в активную строку.

Мы советуем вам уменьшить настройку опции SDRAM RAS Precharge Delay до 2, чтобы увеличить производительность. Если вы столкнетесь с проблемой стабильности системы, увеличьте значение параметра до 3 или 4.

SDRAM RAS Precharge Time (Время обновления SDRAM RAS)

Обычные опции: 2, 3, 4.

При запросе от любой команды чтения строка памяти активируется с помощью RAS. Чтобы считать данные из ячейки памяти, соответствующий столбец активируется с помощью CAS. Используя сигналы CAS, из одной активной строки можно считать несколько ячеек.

Однако при считывании данных из другой строки активная строка должна быть деактивирована. Имеет место небольшая задержка перед активацией другой строки. Данная задержка называется RAS Precharge Time или tRP.

Задержка модуля памяти отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это третья цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2347, задержка RAS Precharge Delay для него будет равна 4 циклам.

Эта функция BIOS задает количество циклов, которое требуется для обновления RAS до активации другой строки. Если период RAS слишком велик, это может привести к снижению производительности, так как активация всех строк задерживается. При уменьшении периода обновления до 2 производительность повышается, так как новая строка может быть активирована быстрее.

Однако времени обновления 2 может быть недостаточно для некоторых модулей памяти. При этом активная строка может потерять свое содержимое до возврата в банк памяти. Это приведет к потере или повреждению данных в момент, когда контроллер памяти пытается считать данные или записать их в активную строку.

Советуем уменьшить настройку опции SDRAM RAS Precharge Time до 2, чтобы увеличить производительность. Если вы столкнетесь с проблемой стабильности системы, увеличьте значение параметра до 3 или 4.

SDRAM RAS Pulse Width (Минимальное время активации строки SDRAM RAS)

Обычные опции: 4, 5, 6, 7, 8, 9.

При запросе от любой команды чтения строка памяти активируется с помощью RAS. Чтобы считать данные из ячейки памяти, соответствующий столбец активируется с помощью CAS. Используя сигналы CAS, из одной активной строки можно считать несколько ячеек.

Однако при считывании данных из другой строки активная строка должна быть деактивирована. Строка не может быть деактивирована до тех пор, пока не закончится период Minimum RAS Pulse Width (или tRAS).

Задержка модуля памяти отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это четвертая цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2347, задержка tRAS для него будет равна 7 циклам.

Как и функция DRAM Act to PreCharg CMD, эта функция управляет минимальным временем активации строки банка памяти (tRAS). Под временем активации подразумевается период между активацией строки и моментом, когда данная строка может быть деактивирована.

Если период tRAS слишком велик, это может привести к снижению производительности, так как деактивация всех активных строк задерживается. При уменьшении периода обновления активная строка может быть деактивирована быстрее.

Чтобы получить оптимальную производительность, используйте минимальное значение. Как правило, оно равно: CAS Latency (Время ожидания CAS) + tRCD + 2 цикла таймера. Например, если вы настроили CAS Latency на 2 цикла, а tRCD на 3 цикла, вы получаете значение, равное 7 циклам.

Если ваша система будет сообщать об ошибках или зависать, увеличьте значение tRCD на один цикл, чтобы стабилизировать работу.

SDRAM RAStoCAS Delay (Задержка SDRAM RASвCAS)

Обычные опции: 2, 3, 4.

При запросе от любой команды чтения строка памяти активируется с помощью RAS. Чтобы считать данные из ячейки памяти, соответствующий столбец активируется с помощью CAS.

Перед использованием сигнала CAS имеет место небольшая задержка. Так как задержка происходит между RAS и CAS, ее называют RAStoCAS Delay (Задержка RASCAS) или tRCD. После задержки несколько столбцов в одной строке могут быть активированы без повторения задержки, если только не активируется новая строка, или не обновляется столбец.

Задержка модуля памяти отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это вторая цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2347, задержка RAStoCAS Delay для него будет равна 3 циклам.

Эта функция BIOS задает задержку между сигналами RAS и CAS. Так как задержка имеет место при обновлении и активации строки, ее уменьшение позволяет повысить производительность.

Советуем уменьшить настройку опции SDRAM RAStoCAS Delay до 3 или 2,

чтобы увеличить производительность. Но повышение производительности не будет таким же значительным, как при уменьшении времени ожидания CAS.

Если вы введете слишком низкое значение, контроллер памяти может создать сигнал CAS до того, как активная строка будет готова. Это может вызвать нестабильность в работе системы. Если вы столкнетесь с проблемой стабильности системы, увеличьте задержку.

Интересно: увеличение задержки RAStoCAS может позволить модулю памяти работать на более высокой частоте. Если вы планируете разогнать ваши модули памяти SDRAM, попробуйте увеличить задержку RAStoCAS.

SDRAM Row Active Time (Время активации строки SDRAM)

Обычные опции: 4, 5, 6, 7, 8, 9.

При запросе от любой команды чтения строка памяти активируется с помощью RAS. Чтобы считать данные из ячейки памяти, соответствующий столбец активируется с помощью CAS. Используя сигналы CAS, из одной активной строки можно считать несколько ячеек.

Однако при считывании данных из другой строки активная строка должна быть деактивирована. Строка не может быть деактивирована до тех пор, пока не закончится период Minimum Row Active Time (или tRAS).

Задержка модуля памяти отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это четвертая цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2347, задержка tRAS для него будет равна 7 циклам.

Как и функция DRAM Act to PreCharg CMD, эта функция управляет минимальным временем активации строки банка памяти (tRAS). Под временем активации подразумевается период между активацией строки и моментом, когда данная строка может быть деактивирована. Это также период времени, в течение которого строка остается открытой.

Если период tRAS слишком велик, это может привести к снижению производительности, так как деактивация всех активных строк задерживается. При уменьшении периода обновления активная строка может быть деактивирована быстрее.

Если период tRAS слишком мал, времени для завершения блоковой операции может не хватить. Это снижает производительность и способно привести к потере или повреждению данных.

Чтобы получить оптимальную производительность, используйте минимальное значение. Как правило, оно равно: CAS Latency (Время ожидания CAS) + tRCD + 2 цикла таймера. Например, если вы настроили CAS Latency на 2 цикла, а tRCD на 3 цикла, вы получаете значение, равное 7 циклам.

Если ваша система будет сообщать об ошибках или зависать, увеличьте значение tRAS на один цикл, чтобы стабилизировать работу.

SDRAM Row Cycle Time (Количество циклов строки SDRAM)

Обычные опции: 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13.

Эта функция BIOS управляет параметром Row Cycle Time (или tRC) для модуля памяти. Количество циклов строки определяет минимальное количество циклов, которое требуется строке памяти, чтобы пройти полный цикл от активации строки до ее обновления в активную строку.

Количество циклов строки (tRC) = минимальное количество циклов активации строки (tRAS) + время обновления строки (tRP). Поэтому перед настройкой количества циклов строки следует определить значения параметров tRAS и tRP.

Задержка tRAS отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это четвертая цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2347, задержка tRAS для него будет равна 7 циклам.

Задержка tRP отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это третья цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2347, задержка tRP для него будет равна 4 циклам.

Если количество циклов строки слишком велико, это может привести к снижению производительности, так как деактивация активных строк после завершения цикла задерживается. При уменьшении количества циклов новый цикл начнется быстрее.

Однако если количество циклов строки слишком мало, новый цикл может начаться до завершения обновления активной строки. Это снижает производительность системы и может вызвать потерю или повреждение данных.

Чтобы получить оптимальную производительность, используйте минимальное значение в соответствии с формулой: tRC = tRAS + tRP. Например, если вы настроили tRAS на 7 циклов, а tRP на 4 цикла, вы получаете значение, равное 11 циклам.

SDRAM Tras Timing Value (Значение SDRAM по времени Tras)

Обычные опции: 4, 5, 6, 7, 8, 9.

При запросе от любой команды чтения строка памяти активируется с помощью RAS. Чтобы считать данные из ячейки памяти, соответствующий столбец активируется с помощью CAS. Используя сигналы CAS, из одной активной строки можно считать несколько ячеек.

Однако при считывании данных из другой строки активная строка должна быть деактивирована. Строка не может быть деактивирована до тех пор, пока не закончится период Minimum Row Active Time (или tRAS).

Задержка модуля памяти отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это четвертая цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2347, задержка tRAS для него будет равна 7 циклам.

Как и функция DRAM Act to PreCharg CMD, эта функция управляет минимальным временем активации строки банка памяти (tRAS). Под временем активации подразумевается период между активацией строки и моментом, когда данная строка может быть деактивирована. Это также период времени, в течение которого строка остается открытой.

Если период tRAS слишком велик, это может привести к снижению производительности, так как деактивация всех активных строк задерживается. При уменьшении периода обновления активная строка может быть деактивирована быстрее.

Если период tRAS слишком мал, времени для завершения блоковой операции может не хватить. Это снижает производительность и может привести к потере или повреждению данных.

Чтобы получить оптимальную производительность, используйте минимальное значение. Как правило, оно равно: CAS Latency (Время ожидания CAS) + tRCD + 2 цикла таймера. Например, если вы настроили CAS Latency на 2 цикла, а tRCD на 3 цикла, вы получаете значение, равное 7 циклам.

Если ваша система будет сообщать об ошибках или зависать, увеличьте значение tRAS на один цикл, чтобы стабилизировать работу.

SDRAM Trc Timing Value (Значение SDRAM по времени Trc)

Обычные опции: 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13.

Эта функция BIOS управляет параметром Row Cycle Time (или tRC) для модуля памяти. Количество циклов строки определяет минимальное количество циклов, которое требуется строке памяти, чтобы пройти полный цикл от активации строки до ее обновления в активную строку.

Количество циклов строки (tRC) = минимальное количество циклов активации строки (tRAS) + время обновления строки (tRP). Поэтому перед настройкой количества циклов строки следует определить значения параметров tRAS и tRP.

Задержка tRAS отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это четвертая цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2347, задержка tRAS для него будет равна 7 циклам.

Задержка tRP отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это третья цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2347, задержка tRP для него будет равна 4 циклам.

Если количество циклов строки слишком велико, это может привести к снижению производительности, так как деактивация активных строк после завершения цикла задерживается. При уменьшении количества циклов новый цикл начнется быстрее.

Однако если количество циклов строки слишком мало, новый цикл может начаться до завершения обновления активной строки. Это снижает производительность системы и может вызвать потерю или повреждение данных.

Чтобы получить оптимальную производительность, используйте минимальное значение в соответствии с формулой: tRC = tRAS + tRP. Например, если вы настроили tRAS на 7 циклов, а tRP на 4 цикла, вы получаете значение, равное 11 циклам.

SDRAM Trcd Timing Value (Значение SDRAM по времени Trcd)

Обычные опции: 2, 3, 4.

При запросе от любой команды чтения строка памяти активируется с помощью RAS. Чтобы считать данные из ячейки памяти, соответствующий столбец активируется с помощью CAS.

Перед использованием сигнала CAS имеет место небольшая задержка. Так как задержка происходит между RAS и CAS, ее называют значение tRCD или tRCD. После задержки несколько столбцов в одной строке могут быть активированы без повторения задержки, если только не активируется новая строка, или не обновляется столбец.

Задержка модуля памяти отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это вторая цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2347, значение tRCD для него будет равно 3 циклам.

Эта функция BIOS задает задержку между сигналами RAS и CAS. Так как задержка имеет место при обновлении и активации строки, ее уменьшение позволяет повысить производительность.

Советуем уменьшить настройку данной опции до 3 или 2, чтобы увеличить производительность. Но повышение производительности не будет таким же значительным, как при уменьшении времени ожидания CAS.

Если вы введете слишком низкое значение, контроллер памяти может создать сигнал CAS до того, как активная строка будет готова. Это может вызвать нестабильность в работе системы. Если вы столкнетесь с проблемой стабильности системы, увеличьте задержку.

Интересно: увеличение значения может позволить модулю памяти работать на более высокой частоте. Если вы планируете разогнать ваши модули памяти SDRAM, попробуйте увеличить значение tRCD.

SDRAM Trp Timing Value (Значение SDRAM по времени Trp)

Обычные опции: 2, 3, 4.

При запросе от любой команды чтения строка памяти активируется с помощью RAS. Чтобы считать данные из ячейки памяти, соответствующий столбец активируется с помощью CAS. Используя сигналы CAS, из одной активной строки можно считать несколько ячеек.

Однако при считывании данных из другой строки активная строка должна быть деактивирована. Имеет место небольшая задержка перед активацией другой строки. Данная задержка называется RAS Precharge Time или tRP.

Задержка модуля памяти отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это третья цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2347, задержка RAS Precharge Delay для него будет равна 4 циклам.

Эта функция BIOS задает количество циклов, которое требуется для обновления RAS до активации другой строки. Если период RAS слишком велик, это может привести к снижению производительности, так как активация всех строк задерживается. При уменьшении периода обновления до 2 производительность повышается, так как новая строка может быть активирована быстрее.

Однако времени обновления 2 может быть недостаточно для некоторых модулей памяти. При этом активная строка может потерять свое содержимое до возврата в банк памяти. Это приведет к потере или повреждению данных в момент, когда контроллер памяти пытается считать данные или записать их в активную строку.

Мы советуем вам уменьшить настройку опции SDRAM Trp Timing Value до 2, чтобы увеличить производительность. Если вы столкнетесь с проблемой стабильности системы, увеличьте значение параметра до 3 или 4.

SDRAM Trrd Timing Value (Значение SDRAM по времени Trrd)

Обычные опции: 2 Cycles, 3 Cycles.

Данная опция представляет собой настройку по времени устройства DDR для tRRD. Эта функция BIOS определяет минимальное время между успешными командами ACTIVATE для одного и того же устройства DDR (даже для различных банков). Чем меньше задержка, тем быстрее может активироваться следующий банк для чтения или записи. Так как активация строки требует большой силы тока, короткая задержка может привести к выбросам тока.

Настройка этого параметра может различаться в зависимости от устройства DDR. Обычно производители DDR RAM указывают параметр tRRD (на основании того, как команды ACTIVATE ограничивают выбросы тока в устройстве). Если вы разрешите BIOS автоматически конфигурировать параметры DRAM, заданное производителем значение tRRD будет считано с чипа SPD (Serial Presence DetectРаспознавание последовательного присутствия). Вы можете вручную настроить этот параметр в соответствии с вашими предпочтениями.

При работе на обычном компьютере мы рекомендуем использовать задержку в 2 цикла, так как выбросы тока не имеют большого значения. Причина состоит в том, что обычный компьютер не ограничен в питании, и даже мощности обычного вентилятора должно хватить для того, чтобы устранить последствия повышения температуры, вызванного выбросами тока. Повышенная производительность при настройке более короткой задержки заслуживает отдельного внимания. Более короткая задержка приводит к тому, что активация банкбанк занимает на один цикл меньше. Это позволяет улучшить производительность устройства DDR при чтении и записи.

Обратите внимание: короткая задержка (2 цикла) работает с большинством устройств DDR DIMM, даже при частоте 133 МГц (266 МГц DDR). Но устройства DDR DIMM с частотой выше 133 МГц (266 МГц DDR) могут потребовать использования задержки 3 цикла. Если возможно, выбирайте значение 2 Cycles, чтобы обеспечить оптимальную производительность DDR DRAM. Переключайтесь на 3 цикла только в том случае, если у вас возникли проблемы с настройкой на 2 цикла.

В мобильных устройствах (например, ноутбуках) рекомендуем использовать задержку в 3 цикла. Это позволит ограничить выбросы тока, вызванные активацией строк. Благодаря этому энергопотребление и рабочая температура устройства DDR будут снижены, что особенно полезно для пользователей мобильных устройств.

SDRAM Write Recovery Time (Время восстановления при записи SDRAM)

Обычные опции: 1 Cycle, 2 Cycles, 3 Cycles.

Эта функция BIOS управляет параметром tWR (Write Recovery Time – Время восстановления при записи) для модулей памяти.

Данная опция указывает задержку (в циклах) между завершением операции записи и моментом, когда активный банк может быть обновлен. Задержка необходима для того, чтобы гарантировать запись данных из буферов записи в ячейки памяти до обновления.

Если задержка слишком мала, банк сможет обновиться до того, как активный банк сохранит записанные данные в ячейках памяти. В результате данные будут потеряны или повреждены.

Обратите внимание: эта функция BIOS не указывает, сколько времени требуется банку для обновления. Она только определяет, сколько времени требуется банку, чтобы начать обновление после завершения операции записи.

Чем меньше задержка, тем раньше банк может быть обновлен для другой операции чтения/записи (производительность повышается). Однако при этом увеличивается риск повреждения данных во время записи в ячейки памяти.

По умолчанию используется значение 2 Cycles (2 цикла), которое соответствует спецификациям JEDEC для модулей памяти DDR200 и DDR266. Модули памяти DDR333 и DDR400 работают с настройкой 3 Cycles (3 цикла).

Рекомендуем выбрать значение 2 Cycles, если вы пользуетесь модулями памяти DDR200 или DDR266, или значение 3 Cycles, если вы пользуетесь модулями памяти DDR333 или DDR400. Вы можете уменьшить задержку, а в случае возникновения проблем – восстановить предыдущее значение.

SDRAM Write to Read Command Delay (Задержка команды записи SDRAM)

Обычные опции: 1 Cycle, 2 Cycles.

Эта функция BIOS управляет параметром tWTR (Write Data In to Read Command Delay – Задержка команды при записи для чтения) для модулей памяти. Данная опция указывает минимальное количество циклов между последней операцией записи и следующей командой чтения для одного банка устройства DDR.

Обратите внимание: данная опция применяется только к тем командам чтения, которые следуют за операциями записи. Она не влияет на последующие операции чтения (как и на записи, следующие за операциями чтения).

Если вы выберите значение 1 Cycle (1 цикл), каждая команда чтения, следующая за операцией записи, будет задержана на один цикл.

Если вы выберите значение 2 Cycles (2 цикла), каждая команда чтения, следующая за операцией записи, будет задержана на два цикла.

Опция 1 Cycle обеспечивает более быстрое переключение от чтения к записи, что ведет к повышению производительности.

Опция 2 Cycles уменьшает производительность при чтении, но улучшает стабильность системы, особенно при высоких скоростях. Кроме того, данная функция позволяет чипам памяти работать еще быстрее. Другими словами, увеличение задержки приводит к тому, что вы сможете разогнать модуль памяти сильнее, чем это возможно в обычных условиях.

По умолчанию используется значение 2 Cycles, которое соответствует спецификациям JEDEC для модулей памяти DDR400. Модули памяти DDR266 и DDR333 работают с настройкой 1 Cycle.

Рекомендуем выбрать значение 1 Cycle, если вы пользуетесь модулями памяти DDR266 или DDR333. Вы можете использовать с модулями памяти DDR400 значение 1 Cycle, а в случае возникновения проблем – восстановить значение по умолчанию (2 Cycles).

Second Boot Device (Второе устройство загрузки)

Обычные опции: Floppy, LS/ZIP, HDD0, SCSI, CDROM, HDD1, HDD2, HDD3, LAN, Disabled.

Эта функция BIOS позволяет выбрать второе устройство, с которого BIOS пытается загрузить операционную систему. Если BIOS найдет операционную систему и загрузит ее с устройства, выбранного с помощью данной опции, иная операционная система (даже если она установлена на другом диске) загружена не будет.

Например, если вы настроите в качестве первого устройства загрузки Floppy, а в качестве второго устройства – HDD0, BIOS проигнорирует программу установки Windows XP на диске CDROM и загрузит среду Windows 98 с жесткого диска (при условии, что в дисководе нет загрузочной дискеты). В общем, данная функция дает возможность выбрать второе устройство для загрузки.

По умолчанию на всех материнских платах в качестве второго устройства загрузки выбирается HDD0. Если только вы не загружаетесь с дискеты регулярно, рекомендуем настроить в качестве первого устройства загрузки ваш жесткий диск (обычно это диск HDD0). Это позволит сократить процесс загрузки, так как BIOS не нужно будет проверять дисковод на наличие операционной системы.

И что более важно, BIOS не загрузит другую операционную систему, если вы забудете убрать дискету из дисковода! Также вы не загрузитесь с дискеты с вирусом, которая осталась в дисководе во время загрузки системы.

Security Setup (Настройка безопасности)

Обычные опции: System, Setup.

Эта функция управляет использованием пароля BIOS. Она будет работать только после того, как вы создадите пароль с помощью опции Password Setting.

Если вы выберите значение System (Система), BIOS будет запрашивать пароль при каждой загрузке системы.

Если вы выберите значение Setup (Настройка), пароль будет требоваться только для доступа в BIOS. Эта опция полезна для системных администраторов или компаний, которые занимаются перепродажей компьютеров и не желают, чтобы пользователи экспериментировали с BIOS.

Shadowing Address Ranges (Резервирование диапазонов адресов)

Обычные опции: C8000CBFFF, CC000CFFFF, D0000D3FF, D4000D7FFF, D8000DBFFF, DC000DFFFF, Disabled.

Эта функция позволяет резервировать определенные блоки памяти (xxxxxxxx) для использования системами BIOS, установленными на специальных картах. Это позволяет повысить производительность карт, которые управляются через свои системы BIOS, а не с помощью драйверов. В основном, это относится к сетевым картам.

Для большинства пользователей данная опция является бесполезной, так как современные операционные системы имеют прямой доступ к устройствам через настройки драйверов. Резервирование памяти напрасно тратит системные ресурсы. Рекомендуем выключить эту функцию.

В соответствии с публикацией компании Microsoft («Shadowing BIOS Under WinNT 4.0»), резервирование BIOS, независимо от версии, не дает возможности повысить производительность, так как оно не используется в среде Windows NT. Это пустая трата ресурсов памяти. В статье ничего не говорится про другие версии Microsoft Windows; тем не менее, данное правило действует для всех версий Microsoft Windows, начиная от Windows 95.

Кроме того, если вы работаете с картой, которая использует диапазон CXXXXEFFFF для адресации I/O, резервирование данной области может привести к ошибкам, потому что запросы на чтение и запись могут не проходить на шину ISA.

Share Memory Size (Обмен памятью)

Обычные опции: 1MB, 4MB, 8MB, 16MB, 32MB, 64MB.

Некоторые материнские платы поставляются со встроенным блоком GPU (Graphics Processing Unit – Блок обработки графики). Данный блок использует для обращения к памяти UMA (Unified Memory Architecture – Унифицированная архитектура памяти). Это значит, что графический процессор резервирует часть системной памяти и использует ее в качестве собственного буфера.

Буферизация системной памяти для графического процессора позволяет производителям материнских плат снизить их стоимость. Кроме того, вы сможете изменять размеры буфера для работы с различными программами.

Но данная технология обладает и следующими недостатками:

• резервирование системной памяти для GPU уменьшает количество памяти, доступной для операционной системы и программ;

• использование системной памяти для GPU снижает пропускную способность памяти как для процессора, так и для графического процессора.

Поэтому блоки GPU не подходят для сложных трехмерных программ и игр. Советуем использовать их для базовой двухмерной графики и простых функций.

Эта функция BIOS задает количество системной памяти, которое выделяется для встроенного блока GPU.

Данная опция позволяет указать, сколько системной памяти вы хотите выделить для GPU. Объем памяти, выделенный для GPU, вычитается из системной памяти, которая доступна для вашей операционной системы и программ.

Обратите внимание, что, в отличие от функции AGP Aperture Size, после выделения системной памяти для GPU ее нельзя использовать для решения других задач. Даже если GPU не использует выделенную память, она не будет доступна для операционной системы.

Поэтому рекомендуем выбрать абсолютный минимум системной памяти, который требуется для GPU. Вы можете рассчитать нужное значение путем умножения разрешения на глубину цвета, которую вы используете.

Например, если вы работаете с разрешением 1600 х 1200 и глубину цвета 32бит, для GPU требуется: 1600 х 1200 х 32бита = 61 440 000 бита или 7.68 Мб. В данном примере вы должны настроить эту функцию на 8MB.

Slave Drive PIO Mode (Режим PIO для диска Slave)

Обычные опции: Auto, 0, 1, 2, 3, 4.

Данная опция обычно находится под функцией Onboard IDE1 Controller или Onboard IDE2 Controller. Она связана с одним из каналов IDE; если вы выключите канал IDE, соответствующая опция Slave Drive PIO Mode будет недоступна (выделена серым цветом).

Эта функция BIOS позволяет настроить режим PIO (Programmed Input/ Output – Программируемый вход/выход) для диска Slave IDE, подключенного к определенному каналу IDE. В табл. 4.10 мы приведем список различных коэффициентов PIO, а также соответствующих пропускных способностей.

Таблица 4.10

Оптимизация BIOS. Полный справочник по всем параметрам BIOS и их настройкам


предыдущая глава | Оптимизация BIOS. Полный справочник по всем параметрам BIOS и их настройкам | Изменение значения на Auto позволяет BIOS автоматически определять максимальный режим PIO для IDEдиска во время загрузки.