home | login | register | DMCA | contacts | help | donate |      

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я


my bookshelf | genres | recommend | rating of books | rating of authors | reviews | new | форум | collections | читалки | авторам | add
fantasy
space fantasy
fantasy is horrors
heroic
prose
  military
  child
  russian
detective
  action
  child
  ironical
  historical
  political
western
adventure
adventure (child)
child's stories
love
religion
antique
Scientific literature
biography
business
home pets
animals
art
history
computers
linguistics
mathematics
religion
home_garden
sport
technique
publicism
philosophy
chemistry
close

реклама - advertisement



Характеристики модулей памяти

За время развития ПК было произведено много разных типов модулей памяти.

Каждый из них подходит к строго определенному классу МП.

В конкретную МП конструктивно и по внутренней архитектуре следует подобрать соответствующие модули.

Не всегда в МП можно установить модули, которые подходят в данный тип разъема. Возможно, потребуется перепрошить BIOS или даже заменить МП, которая не поддерживает выбранный тип памяти.

Данные могут передаваться с большей частотой, чем тактовая частота модуля памяти. Так, например, если тактовая частота ОЗУ – 100 МГц, то данные могут передаваться с частотой 400 МГц. Если используется двухканальный режим работы оперативной памяти, то в итоге рабочая частота возрастает до 800 МГц.

С помощью буферизации данных повышается производительность модулей памяти.

Специальная микросхема хранит данные для сокращения времени чтения-записи из ОЗУ.

Существуют модули оперативной памяти с коррекцией ошибок. Это технология ECC (Error Checking and Correction). В модуль добавляется еще одна микросхема. Байт данных сопровождается дополнительным битом, с помощью которого осуществляется контроль четности в байте. В современных модулях используется технология, позволяющая исправить одиночную ошибку; если выявляется вторая ошибка, то подается сигнал. Подобные модули применяются в системах, для которых важна высокая отказоустойчивость.

Для ноутбуков применяются специальные модули оперативной памяти – SO-DIMM (Small Out-line DIMM). Число контактов у них отличается от модулей для настольных ПК.

Процесс чтения-записи в динамической памяти состоит из нескольких операций. Вначале система определяет адрес нужной ячейки, где хранятся данные. Через определенный промежуток времени выбирается соответствующая ячейка памяти. Затем из нее считывается информация либо она в нее записывается. После этого ячейка переключается в ждущий режим. Каждый этап процесса распределен во времени. Для оперативной динамической памяти указывается цифровая последовательность, называемая таймингом.

В этой последовательности цифр каждая из них соответствует числу тактов шины, которые отмеряют временной промежуток выполнения какой-либо операции. Таким образом, каждый модуль памяти имеет свой временной параметр выполнения операции записи-считывания – тайминг. У каждого производителя модули имеют свои значения тайминга – задержки между отдельными операциями, производимыми контроллером при обращении к памяти.

Пространство памяти можно представить в виде ячеек, которые состоят из строк и столбцов.

Для обращения к ячейке контроллер задаёт номер банка, номер страницы в нём, номер строки и номер столбца, на все запросы тратится время, помимо этого довольно большая затрата уходит на открытие и закрытие банка после самой операции чтения-записи. На каждое действие требуется время, оно и называется таймингом.

Некоторые из таймингов недоступны для настройки в BIOS – время доступа CS# (crystal select), этот сигнал определяет кристалл (чип) на модуле, и данный параметр не может регулироваться.

Временные задержки обозначаются следующим образом:

CAS Latency – CL – задержка между выбором и чтением ряда, задержка между командой чтения и доступностью к чтению первого слова. Введена для набора адресными регистрами гарантированно устойчивого уровня сигнала.

RAS to CAS – Row to Column Delay – TRCD – выбор ряда. Это задержка между сигналами RAS (Row Address Strobe) и CAS (Column Address Strobe), данный параметр характеризует интервал между доступами к шине контроллером памяти сигналов RAS# и CAS#.

Row Precharge Delay (RAS Precharge Delay) tRP/tRCP – деактивация ряда.

Row Activate Delay (RAS Active Delay, time to ready) – tRA/tRD/tRAS – число циклов чтения.

Command Rate – CMD Rate – задержка адресации.

Burst Length – это параметр, который устанавливает размер предвыборки памяти относительно начального адреса обращения. Чем больше его размер, тем выше производительность памяти.


Извлечение и установка модулей памяти | Устранение неисправностей и ремонт ПК своими руками на 100% | ПО для диагностики оперативной памяти